Преодолен недостаток скорости записи флэш-памяти

Genusion, японский разработчик полупроводниковых приборов, не имеющий собственных производственных мощностей, сообщает о разработке новой технологии флэш-памяти. В основе новой памяти, которая получила название B4-Flash, лежит механизм B4-HE (использование «горячих электронов», индуцированных межзонным туннелированием с помощью обратного смещения), разработанный специалистами компании. Как утверждается, этот подход изменяет процесс программирования (записи) памяти.

Новая технология разрешает одну из основных проблем, связанных с обычной флэш-памятью. Речь идет о существенном увеличении быстродействия памяти в режиме записи. Для сравнения: современные образцы флэш-памяти обеспечивают скорость записи в пределах 1-10 Мб/с, что на порядок медленнее накопителей на жестких магнитных дисках.

Механизм B4-HE имеет потенциал увеличения быстродействия в режиме записи до уровня 100 Мб/с, утверждает компания.

Технология уже находится на пути к коммерческому использованию. Компания продемонстрировала тестовые образцы 4-Мбит чипов, изготовленных с помощью существующих техпроцессов. Серийный выпуск новинки должен начаться к 2009 году.

По материалам: IXBT.com